Name: IPP041N04NGXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP041N04NGXKSA1-ND
Price: 1.6 USD
Availability: OutOfStock

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IPP041N04NGXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPP041N04NGXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPP041N04NGXKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 40 V 80A (Tc) 94W (Tc) PG-TO220-3-1
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	80A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.1mOhm a 80A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 45µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4500 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	94W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	IPP041

IPP041N04NGXKSA1