Name: IPP60R199CPXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP60R199CPXKSA1-ND
Price: 3.9 USD
Availability: OutOfStock

¿Necesita ayuda?

Comentarios

Información sobre DigiKey Marketplace Vender en DigiKey.com Mapa del sitio Soluciones digitales Sala De Prensa

Ayuda y soporte Estado del pedido Opciones/tarifas de envío Devoluciones e inconvenientes con pedidos

Chat 800-351-0126 spanish.support@digikey.com Conavegar

IPP60R199CPXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPP60R199CPXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPP60R199CPXKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 16A (Tc) 139W (Tc) PG-TO220-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPP60R199CPXKSA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	No para diseños nuevos
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	16A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	199mOhm a 9.9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 660µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	43 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1520 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	139W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	IPP60R199

IPP60R199CPXKSA1