Name: IPP65R099CFD7AAKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP65R099CFD7AAKSA1-ND
Price: 5.56 USD
Availability: OutOfStock

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Infineon Technologies

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IPP65R099CFD7AAKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPP65R099CFD7AAKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPP65R099CFD7AAKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 24A (Tc) 127W (Tc) PG-TO220-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPP65R099CFD7AAKSA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ CFD7A
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	24A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	99mOhm a 12.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 630µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	53 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2513 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	127W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	IPP65R099

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$5.56000	$5.56
50	$2.92220	$146.11
100	$2.90080	$290.08
500	$2.22234	$1,111.17
1,000	$2.19712	$2,197.12

Paquete estándar del fabricante

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