IPP80N04S404AKSA1 Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

IPP80N04S404AKSA1
N.º de producto de DigiKey	IPP80N04S404AKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPP80N04S404AKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 40 V 80 A (Tc) 71W (Tc) PG-TO220-3-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPP80N04S404AKSA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.6mOhm a 80A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 35µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	43 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3440 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	71W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	IPP80N04