IPP80N06S407AKSA2 Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

IPP80N06S407AKSA2 es obsoleto y ya no se fabrica.

Reemplazos disponibles:

Similar

onsemi

En stock: 0

Precio por unidad : $2.93000

Similar

Littelfuse Inc.

En stock: 0

Precio por unidad : $4.22000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IPP80N06S407AKSA2
N.º de producto de DigiKey	IPP80N06S407AKSA2-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPP80N06S407AKSA2
Descripción	MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 60 V 80A (Tc) 79W (Tc) PG-TO220-3-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPP80N06S407AKSA2 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	80A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	7.4mOhm a 80A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 40µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4500 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	IPP80N06