Name: IPW60R170CFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW60R170CFD7XKSA1-ND
Price: 4.1 USD
Availability: OutOfStock

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IPW60R170CFD7XKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPW60R170CFD7XKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPW60R170CFD7XKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 14A (Tc) 75W (Tc) PG-TO247-3-21
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPW60R170CFD7XKSA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ CFD7
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	14A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	170mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 300µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1199 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO247-3-21
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	IPW60R170

IPW60R170CFD7XKSA1