Name: IPW65R095C7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW65R095C7XKSA1-ND
Price: 5.85 USD
Availability: OutOfStock

¿Necesita ayuda?

Comentarios

Información sobre DigiKey Marketplace Vender en DigiKey.com Mapa del sitio Soluciones digitales Sala De Prensa

Ayuda y soporte Estado del pedido Opciones/tarifas de envío Devoluciones e inconvenientes con pedidos

Chat 800-351-0126 spanish.support@digikey.com Conavegar

IPW65R095C7XKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPW65R095C7XKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPW65R095C7XKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) PG-TO247-3-1
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	24A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	95mOhm a 11.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 590µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2140 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	128W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO247-3-1
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	IPW65R095

IPW65R095C7XKSA1