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IPW65R110CFDFKSA2 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.
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IPW65R110CFDFKSA2 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-IPW65R110CFDFKSA2-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IPW65R110CFDFKSA2 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 |
Plazo estándar del fabricante | 15 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) PG-TO247-3-41 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IPW65R110CFDFKSA2 Modelos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 110mOhm a 12.7A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4.5V a 1.3mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 118 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 3240 pF @ 100 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 277.8W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO247-3-41 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
0 en stock
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $6.36000 | $6.36 |
| 30 | $3.63133 | $108.94 |
| 120 | $3.03175 | $363.81 |
| 510 | $2.63025 | $1,341.43 |
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