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IRF100B202

N.º de producto de DigiKey
IRF100B202-ND
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
IRF100B202
Descripción
MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Plazo estándar del fabricante
18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 100 V 97A (Tc) 221W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
IRF100B202 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®, StrongIRFET™
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
97A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
8.6mOhm a 58A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 150µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
4476 pF @ 50 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
221W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
Número de producto base
IRF100
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10$0.84800$8.48
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500$0.67348$336.74
1,000$0.66589$665.89
2,000$0.64001$1,280.02
Paquete estándar del fabricante
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