TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IRF1310NSTRRPBF

N.º de producto de DigiKey
IRF1310NSTRRPBF-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
IRF1310NSTRRPBF
Descripción
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 100 V 42A (Tc) 3.8W (Ta), 160W (Tc) D2PAK
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza
Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
42A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
36mOhm a 22A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1900 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
3.8W (Ta), 160W (Tc)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
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