Name: IRF5210PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5210PBF-ND
Price: 3.16 USD
Availability: OutOfStock

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Canal P Orificio pasante 100 V 40A (Tc) 200W (Tc) TO-220AB

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IRF5210PBF
Número de pieza de DigiKey	IRF5210PBF-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF5210PBF
Descripción	MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Orificio pasante 100 V 40A (Tc) 200W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF5210PBF Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	40A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	60mOhm a 24A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	180 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2700 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	IRF5210

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$3.16000	$3.16
50	$1.54880	$77.44
100	$1.43440	$143.44
500	$1.16338	$581.69
1,000	$1.07630	$1,076.30
2,000	$1.00310	$2,006.20
5,000	$0.99256	$4,962.80

Paquete estándar del fabricante

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