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Infineon Technologies
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IRF7309PBF

N.º de producto de DigiKey
IRF7309PBF-ND
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
IRF7309PBF
Descripción
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Referencia del cliente
Descripción detallada
MOSFET - Arreglos 30V 4A, 3A 1.4W Montaje en superficie 8-SO
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
IRF7309PBF Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Discontinuo en Digi-Key
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Configuración
Canal N y P
Característica de FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
4A, 3A
Rds On (máx) @ Id, Vgs
50mOhm a 2.4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
25nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
520pF a 15V
Potencia - Máx.
1.4W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SO
Número de producto base
IRF73
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