Name: IRF7341TRPBFXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND
Price: 1.42 USD
Availability: OutOfStock

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IRF7341TRPBFXTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IRF7341TRPBFXTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IRF7341TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF7341TRPBFXTMA1
Descripción	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 55V 4.7A (Tc) 2W (Tc) Montaje en superficie PG-DSO-8-902
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF7341TRPBFXTMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	55V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4.7A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	50mOhm a 4.7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	36nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	740pF a 25V
Potencia - Máx.	2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-DSO-8-902