Name: IRF7413ZTRPBFXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF7413ZTRPBFXTMA1TR-ND
Price: 0.9 USD
Availability: OutOfStock

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IRF7413ZTRPBFXTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IRF7413ZTRPBFXTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IRF7413ZTRPBFXTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IRF7413ZTRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF7413ZTRPBFXTMA1
Descripción	TRENCH <= 40V
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 13 A (Ta) 2.5W (Ta) PG-DSO-8-902
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	13 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	10mOhm a 13A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.25V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	14 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1210 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-DSO-8-902
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)