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IRF7811AVPBF

N.º de producto de DigiKey
IRF7811AVPBF-ND
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
IRF7811AVPBF
Descripción
MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 30 V 10.8 A (Ta) 2.5W (Ta) 8-SO
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
10.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
14mOhm a 15A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
26 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1801 pF @ 10 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SO
Paquete / Caja (carcasa)
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
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