IRF8313TRPBF Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

IRF8313TRPBF es obsoleto y ya no se fabrica.

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Precio por unidad : $0.73000

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IRF8313TRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRF8313TRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRF8313TRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRF8313TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF8313TRPBF
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 30V 9.7A 2W Montaje en superficie 8-SO
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF8313TRPBF Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.7A
Rds On (máx) @ Id, Vgs	15.5mOhm a 9.7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.35V a 25µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	9nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	760pF a 15V
Potencia - Máx.	2W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO
Número de producto base	IRF8313