IRF9317PBF Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IRF9317PBF
N.º de producto de DigiKey	IRF9317PBF-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF9317PBF
Descripción	MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) 8-SO
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF9317PBF Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	16A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6.6mOhm a 16A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.4V a 50µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	92 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2820 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)

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