Name: IRF9383MTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF9383MTRPBFTR-ND
Price: 2.95 USD
Availability: OutOfStock

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IRF9383MTRPBF
N.º de producto de DigiKey	448-IRF9383MTRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IRF9383MTRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IRF9383MTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF9383MTRPBF
Descripción	MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 22A (Ta), 160A (Tc) 2.1W (Ta), 113W (Tc) DIRECTFET™ MX
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF9383MTRPBF Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	22A (Ta), 160A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.9mOhm a 22A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.4V a 150µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	7305 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.1W (Ta), 113W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DIRECTFET™ MX
Paquete / Caja (carcasa)	MX isométrico DirectFET™
Número de producto base	IRF9383