IRF9Z24NSTRLPBF Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

IRF9Z24NSTRLPBF
N.º de producto de DigiKey	IRF9Z24NSTRLPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRF9Z24NSTRLPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRF9Z24NSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF9Z24NSTRLPBF
Descripción	MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 55 V 12 A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF9Z24NSTRLPBF Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	55 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	175mOhm a 7.2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	350 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IRF9Z24