Name: IRFB3307PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFB3307PBF-ND
Price: 2.39 USD
Availability: OutOfStock

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IRFB3307PBF
N.º de producto de DigiKey	448-IRFB3307PBF-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRFB3307PBF
Descripción	MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Plazo estándar del fabricante	13 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 75 V 130A (Tc) 200W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRFB3307PBF Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	75 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	130A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6.3mOhm a 75A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 150µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	180 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5150 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	IRFB3307

IRFB3307PBF