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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IRFB3607PBF

Número de pieza de DigiKey
IRFB3607PBF-ND
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
IRFB3607PBF
Descripción
MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 75 V 80A (Tc) 140W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
IRFB3607PBF Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
No para diseños nuevos
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
75 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
80A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
9mOhm a 46A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
3070 pF @ 50 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
140W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
Número de producto base
IRFB3607
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Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$1.58000$1.58
50$0.77720$38.86
100$0.71090$71.09
500$0.57580$287.90
1,000$0.52647$526.47
2,000$0.48499$969.98
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