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IRFB4227PBF
Infineon Technologies
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TO-220AB PKG
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IRFB4227PBFXKMA1

N.º de producto de DigiKey
448-IRFB4227PBFXKMA1-ND
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
IRFB4227PBFXKMA1
Descripción
TRENCH >=100V
Plazo estándar del fabricante
18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 200 V 65 A (Tc) 330W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
65 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
24mOhm a 46A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
4600 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
330W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
Número de producto base
IRFB4227
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Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$2.47000$2.47
50$1.18840$59.42
100$1.10620$110.62
500$0.88876$444.38
1,000$0.81885$818.85
2,000$0.76007$1,520.14
5,000$0.74638$3,731.90
Paquete estándar del fabricante
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