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TO-220AB PKG
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IRFB4229PBF

N.º de producto de DigiKey
IRFB4229PBF-ND
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
IRFB4229PBF
Descripción
MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Plazo estándar del fabricante
18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 250 V 46A (Tc) 330W (Tc) TO-220AB
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 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
IRFB4229PBF Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
46A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
46mOhm a 26A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
4560 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
330W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
Número de producto base
IRFB4229
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Cantidad
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Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$3.18000$3.18
50$1.59640$79.82
100$1.51210$151.21
500$1.23062$615.31
1,000$1.17556$1,175.56
2,000$1.10000$2,200.00
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.
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