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Canal N Orificio pasante 200 V 25A (Tc) 144W (Tc) TO-220AB
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IRFB4620PBF

Número de pieza de DigiKey
IRFB4620PBF-ND
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
IRFB4620PBF
Descripción
MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Plazo estándar del fabricante
26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 200 V 25A (Tc) 144W (Tc) TO-220AB
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 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
IRFB4620PBF Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
25A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
72.5mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1710 pF @ 50 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
144W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
Número de producto base
IRFB4620
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Cantidad
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Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$2.08000$2.08
50$1.17800$58.90
100$1.17300$117.30
500$0.96592$482.96
1,000$0.89123$891.23
2,000$0.82844$1,656.88
5,000$0.82462$4,123.10
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.
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