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IRFH5110TRPBF es obsoleto y ya no se fabrica.
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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
IRFH5110TRPBF | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-IRFH5110TRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IRFH5110TRPBF |
Descripción | MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 100 V 11A (Ta), 63A (Tc) 3.6W (Ta), 114W (Tc) 8-PQFN (5x6) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IRFH5110TRPBF Modelos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) | |
Estado de pieza | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 12.4mOhm a 37A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4V a 100µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 72 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 3152 pF @ 25 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 3.6W (Ta), 114W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-PQFN (5x6) | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Obsoleto
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México