IRFHM830TRPBF es obsoleto y ya no se fabrica.
Reemplazos disponibles:

Similar


Diodes Incorporated
En stock: 0
Precio por unidad : $0.50142
Hoja de datos

Similar


onsemi
En stock: 11,782
Precio por unidad : $1.57000

Similar


Rohm Semiconductor
En stock: 0
Precio por unidad : $1.24000
Hoja de datos

Similar


STMicroelectronics
En stock: 0
Precio por unidad : $1.58000
Hoja de datos
IRFHM830DTR2PBF
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IRFHM830TRPBF

N.º de producto de DigiKey
IRFHM830TRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR)
IRFHM830TRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT)
IRFHM830TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Número de pieza del fabricante
IRFHM830TRPBF
Descripción
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 30 V 21 A (Ta), 40 A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
IRFHM830TRPBF Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Serie
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Obsoleto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
3.8mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.35V a 50µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2155 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa)
Número de producto base
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Obsoleto
Este producto ya no se fabrica. Ver Reemplazos o Tipos de paquetes alternativos.