IRFR3910TRLPBF Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

IRFR3910TRLPBF
N.º de producto de DigiKey	IRFR3910TRLPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRFR3910TRLPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRFR3910TRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRFR3910TRLPBF
Descripción	MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) TO-252AA (DPAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	16A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	115mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	640 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA (DPAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	IRFR3910