IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

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IRL3705ZSTRLPBF
N.º de producto de DigiKey	IRL3705ZSTRLPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRL3705ZSTRLPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRL3705ZSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRL3705ZSTRLPBF
Descripción	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 55 V 75A (Tc) 130W (Tc) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRL3705ZSTRLPBF Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	55 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	75A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8mOhm a 52A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	60 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2880 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IRL3705