IRL540NSTRRPBF Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IRL540NSTRRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRL540NSTRRPBF-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRL540NSTRRPBF
Descripción	MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 36A (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	36A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	44mOhm a 18A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	74 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1800 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 140W (Tc)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB

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