IRLML6401GTRPBF Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

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Infineon Technologies

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IRLML6401GTRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRLML6401GTRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRLML6401GTRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRLML6401GTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRLML6401GTRPBF
Descripción	MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 12 V 4.3 A (Ta) 1.3W (Ta) Micro3™/SOT-23
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRLML6401GTRPBF Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	12 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4.3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	50mOhm a 4.3A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	950mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	15 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	830 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	Micro3™/SOT-23
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3