IRLR8259TRPBF Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

IRLR8259TRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRLR8259TRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRLR8259TRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRLR8259TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRLR8259TRPBF
Descripción	MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 25 V 57 A (Tc) 48W (Tc) TO-252AA (DPAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRLR8259TRPBF Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	25 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	57 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8.7mOhm a 21A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.35V a 25µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	10 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	900 pF @ 13 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	48W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA (DPAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	IRLR8259