Name: ISG0613N04NM6HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0613N04NM6HATMA1TR-ND
Price: 4.44 USD
Availability: OutOfStock

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ISG0613N04NM6HATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-ISG0613N04NM6HATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-ISG0613N04NM6HATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-ISG0613N04NM6HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	ISG0613N04NM6HATMA1
Descripción	MOSFET 2N-CH 40V 42A 10VITFN
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 40V 42A (Ta), 299A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montaje en superficie PG-VITFN-10-1
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	2 canales N (medio puente)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	42A (Ta), 299A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	0.88mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.8V a 780µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	104nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6200pF a 20V
Potencia - Máx.	3W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	10-PowerVDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-VITFN-10-1