Name: ISZ080N10NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ080N10NM6ATMA1TR-ND
Price: 2.14 USD
Availability: OutOfStock

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ISZ080N10NM6ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-ISZ080N10NM6ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-ISZ080N10NM6ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-ISZ080N10NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	ISZ080N10NM6ATMA1
Descripción	TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 13A (Ta), 75A (Tc) 3W (Ta), 100W (Tc) PG-TSDSON-8 FL
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	ISZ080N10NM6ATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	13A (Ta), 75A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	8V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8.04mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.3V a 36µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1800 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8 FL
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	ISZ080N