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Canal N Montaje en superficie 650 V 8A (Tc) 150W (Ta) TO-263 (D2PAK)
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Canal N Montaje en superficie 650 V 8A (Tc) 150W (Ta) TO-263 (D2PAK)
TO-263-D2PAK

IXFA8N65X2

Número de pieza de DigiKey
238-IXFA8N65X2-ND
Fabricante
IXYS
Número de pieza del fabricante
IXFA8N65X2
Descripción
MOSFET N-CH 650V 8A TO263
Plazo estándar del fabricante
41 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 650 V 8A (Tc) 150W (Ta) TO-263 (D2PAK)
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Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
IXYS
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
8A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
450mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
790 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
150W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base
IXFA8N65
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Cantidad
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Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
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