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Canal N Orificio pasante 1000 V 12A (Tc) 300W (Tc) TO-247AD (IXFH)
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Canal N Orificio pasante 1000 V 12A (Tc) 300W (Tc) TO-247AD (IXFH)
HiPerFET_TO-247-3

IXFH12N100Q

Número de pieza de DigiKey
IXFH12N100Q-ND
Fabricante
IXYS
Número de pieza del fabricante
IXFH12N100Q
Descripción
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 1000 V 12A (Tc) 300W (Tc) TO-247AD (IXFH)
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
IXYS
Serie
HiPerFET™, Q Class
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
12A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.05Ohm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5.5V a 4mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2900 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247AD (IXFH)
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3
Número de producto base
IXFH12
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