Name: IXFH34N65X2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXFH34N65X2-ND
Price: 9.4 USD
Availability: OutOfStock

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IXFH34N65X2
N.º de producto de DigiKey	238-IXFH34N65X2-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXFH34N65X2
Descripción	MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 34A (Tc) 540W (Tc) TO-247 (IXTH)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	HiPerFET™, Ultra X2
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	34A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	105mOhm a 17A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5.5V a 2.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3330 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	540W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247 (IXTH)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	IXFH34

IXFH34N65X2