IXFH67N10 IXYS | Productos semiconductores discretos

IXFH67N10 es obsoleto y ya no se fabrica.

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IXFH67N10
N.º de producto de DigiKey	IXFH67N10-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXFH67N10
Descripción	MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 100 V 67A (Tc) 300W (Tc) TO-247AD (IXFH)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	HiPerFET™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	67A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	25mOhm a 33.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 4mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	260 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4500 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247AD (IXFH)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	IXFH67