IXFH7N90Q IXYS | Productos semiconductores discretos

IXFH7N90Q es obsoleto y ya no se fabrica.

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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IXFH7N90Q
N.º de producto de DigiKey	IXFH7N90Q-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXFH7N90Q
Descripción	MOSFET N-CH 900V 7A TO247AD
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 900 V 7A (Tc) 180W (Tc) TO-247AD (IXFH)

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	HiPerFET™, Q Class
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	900 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.5Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 2.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2200 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247AD (IXFH)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	IXFH7