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IXYS
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Canal N Orificio pasante 200 V 120A (Tc) 560W (Tc) TO-264AA (IXFK)
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IXFK120N20

Número de pieza de DigiKey
IXFK120N20-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
IXFK120N20
Descripción
MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 200 V 120A (Tc) 560W (Tc) TO-264AA (IXFK)
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Serie
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
17mOhm a 60A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 8mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
9100 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
560W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-264AA (IXFK)
Paquete / Caja (carcasa)
Número de producto base
Preguntas y respuestas sobre el producto

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