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Canal N Orificio pasante 500 V 55A (Tc) 625W (Tc) ISOPLUS264™
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Canal N Orificio pasante 500 V 55A (Tc) 625W (Tc) ISOPLUS264™
ISOPLUS264

IXFL80N50Q2

Número de pieza de DigiKey
IXFL80N50Q2-ND
Fabricante
IXYS
Número de pieza del fabricante
IXFL80N50Q2
Descripción
MOSFET N-CH 500V 55A ISOPLUS264
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 500 V 55A (Tc) 625W (Tc) ISOPLUS264™
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
IXYS
Serie
HiPerFET™, Q2 Class
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
55A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
66mOhm a 40A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 8mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
10500 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
625W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
ISOPLUS264™
Paquete / Caja (carcasa)
TO-264-3, TO-264AA
Número de producto base
IXFL80
Preguntas y respuestas sobre el producto

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