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Microchip Technology
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Precio por unidad : $50.35000
Hoja de datos
238~SOT227B~~4
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IXFN30N120P

N.º de producto de DigiKey
IXFN30N120P-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
IXFN30N120P
Descripción
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
Plazo estándar del fabricante
50 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje de chasis 1200 V 30A (Tc) 890W (Tc) SOT-227B
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Serie
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
350mOhm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
6.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
310 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
19000 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
890W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa)
Número de producto base
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Disponible para órdenes
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Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
300$47.34727$14,204.18
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