IXFN36N110P IXYS | Productos semiconductores discretos

IXFN36N110P es obsoleto y ya no se fabrica.

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Precio por unidad : $61.44000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IXFN36N110P
N.º de producto de DigiKey	IXFN36N110P-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXFN36N110P
Descripción	MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje de chasis 1100 V 36A (Tc) 1000W (Tc) SOT-227B

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	HiPerFET™, Polar
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	36A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	240mOhm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	6.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	350 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	23000 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1000W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-227-4, miniBLOC
Número de producto base	IXFN36