238~SOT227B~~4
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IXFN40N110Q3

N.º de producto de DigiKey
IXFN40N110Q3-ND
Fabricante
IXYS
Número de pieza del fabricante
IXFN40N110Q3
Descripción
MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje de chasis 1100 V 35A (Tc) 960W (Tc) SOT-227B
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
IXYS
Serie
HiPerFET™, Q3 Class
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
35A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
260mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
6.5V a 8mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
14000 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
960W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa)
SOT-227-4, miniBLOC
Número de producto base
IXFN40
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