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Producto del mercado
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
IXFN55N120SK | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 238-IXFN55N120SK-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IXFN55N120SK |
Descripción | SIC AND MULTICHIP DISCRETE |
Plazo estándar del fabricante | 87 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje de chasis 1200 V 54 A (Tc) SOT-227B |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | - | |
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 15V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 42mOhm a 40A, 15V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 3.6V a 12mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 107 nC @ 15 V | |
Vgs (máx.) | +15V, -4V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 3360 pF @ 1000 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | - | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje de chasis | |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-227B | |
Paquete / Caja (carcasa) |
Disponible para órdenes
Stock de fábrica: 280
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $58.60000 | $58.60 |
| 10 | $52.81200 | $528.12 |
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