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IXFP10N60P

N.º de producto de DigiKey
IXFP10N60P-ND
Fabricante
IXYS
Número de pieza del fabricante
IXFP10N60P
Descripción
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Plazo estándar del fabricante
38 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 600 V 10A (Tc) 200W (Tc) TO-220-3
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
IXYS
Serie
HiPerFET™, Polar
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
10A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
740mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1610 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
Número de producto base
IXFP10
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