IXFP8N50P3 IXYS | Productos semiconductores discretos

IXFP8N50P3 es obsoleto y ya no se fabrica.

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Littelfuse Inc.

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Precio por unidad : $16.67000

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IXFP8N50P3
N.º de producto de DigiKey	IXFP8N50P3-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXFP8N50P3
Descripción	MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 500 V 8A (Tc) 180W (Tc) TO-220-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	HiPerFET™, Polar3™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	8A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	800mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 1.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	705 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	IXFP8N50