IXFV16N80P IXYS | Productos de semiconductores discretos

IXFV16N80P es obsoleto y ya no se fabrica.

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Precio por unidad : $6.89000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IXFV16N80P
Número de pieza de DigiKey	IXFV16N80P-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXFV16N80P
Descripción	MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 800 V 16A (Tc) 460W (Tc) PLUS220
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	HiPerFET™, Polar
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	16A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	600mOhm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 4mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	71 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4600 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	460W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PLUS220
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3, con lengüeta corta
Número de producto base	IXFV16