IXFX90N60X IXYS | Productos semiconductores discretos

IXFX90N60X es obsoleto y ya no se fabrica.

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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IXFX90N60X
N.º de producto de DigiKey	IXFX90N60X-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXFX90N60X
Descripción	MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 90A (Tc) 1100W (Tc) PLUS247™-3

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	HiPerFET™, Ultra X
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	90A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	38mOhm a 45A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 8mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	210 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	8500 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PLUS247™-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3 variante
Número de producto base	IXFX90