IXKC19N60C5 IXYS | Productos de semiconductores discretos

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IXKC19N60C5
Número de pieza de DigiKey	IXKC19N60C5-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXKC19N60C5
Descripción	MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 19A (Tc) ISOPLUS220™

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	CoolMOS™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	19A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	125mOhm a 16A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 1.1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2500 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	-
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	ISOPLUS220™
Paquete / Caja (carcasa)	ISOPLUS220™
Número de producto base	IXKC19