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TO-263AB
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IXTA4N80P

N.º de producto de DigiKey
IXTA4N80P-ND
Fabricante
IXYS
Número de pieza del fabricante
IXTA4N80P
Descripción
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
Plazo estándar del fabricante
38 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 800 V 3.6A (Tc) 100W (Tc) TO-263AA
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
IXYS
Serie
Polar
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
3.6A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
3.4Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5.5V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
14.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
750 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263AA
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base
IXTA4
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